Paul S. Ho, Texas Materials Institute, The University of Texas at Austin, USA, et al. (Eds.)
Low Dielectric Constant Materials for IC Applications
Advanced Microelectronics Vol.9
2003, 309pp.
Hardcover EUR 106.95
ISBN 3-540-67819-0
Springer-Verlag
本书介绍和论述了最近发展的低介电常数材料技术、薄膜材料品质鉴定及微电子学中应用的集成性和可靠性等。
全书共10章和163幅插图，由43位专家学者撰写，每章均附有重要的参考文献。第1章集成电路应用的低介电常数材料介绍，材料性质和集成要求，低k介电体的特性，多孔低k材料；第2章低k介电材料的品质鉴定，薄膜材料的品质鉴定，未来的挑战；第3章由X射线反射率和小角中子散射测定的低k介电空心薄膜的结构和性质的品质鉴定；第4章低k聚合电介质的蒸气沉积，在基片上的蒸气相沉积和聚合作用，蒸气沉积低k聚合物的展望；第5章氟硅玻璃和非晶碳薄膜低k材料的等离体增强的化学蒸气沉积；第6章芯片上应用的多孔有机硅酸盐：由引入多孔产生的介电延伸率、多孔硅、有机硅酸盐、多孔有机硅酸盐及其品质鉴定；第7章金属/聚合物界面相互作用，实验方法，氟聚合物的金属化，金属上的聚合物，附着到铜；第8章聚合物中及金属/聚合物界面形成时的金属扩散，热力学考虑，金属膜的表面扩散、成核和生长，扩散和聚集，原子扩散；第9章低介电常数材料的等离体刻蚀、技术要求和图模方法，氟碳基刻蚀过程；第10章SiLK半导体电介质集成，SiLK半导体电介质，减薄技术，波纹装饰技术。
本书内容丰富、材料新颖，为微电子学技术的新著作，可供高等学校物理系、材料科学系、电子学系及相关系科的教师、研究生和高年级学生参阅，更可供从事微电子学材料和技术的科研及技术工作者参考。
李国栋，研究员
(中国科学院物理学研究所)
Li Guodong, Professor
(Institute of Physics,the Chinese Academy of Sciences)