芯片测试报告模板范文7篇芯片测试报告模板范文 ft6688非常规测试报告反馈非常规测试报告反馈320091218 1．．BAT端加电压时，有电流流过端加电压时，有电流流过BAT端口下面是小编为大家整理的芯片测试报告模板范文7篇,供大家参考。
篇一：芯片测试报告模板范文
6688 非常规测试报告反馈非常规测试报告反馈 3 200912181．． BAT 端加电压时，有电流流过端加电压时，有电流流过 BAT 端口的问题。VCC 与 GND 接 8 欧姆电阻， 经测试，当 BAT 端外加 5V 电压时，从 VBAT 向芯片的放电电流为 4.540mA，VCC端会产生 37mV 左右电压，4.537mA 左右电流，该电压和电流会随 BAT 端外加电压的增大而变大。
VCC VBAT IBAT 37mV 5V 4.540mA 注：只有 VBAT 加电。
2．． VCC 超过超过 7.5V 时，时，BAT 端口电压会大于端口电压会大于 4.3V。VCC,VBAT,VPROG之间关系如下：
RPROG=2.2K,RL=8 欧姆，VBAT 加电压，模拟 3V 多的电池。
VCC VBAT IBAT 5V 3.53V 449mA 5.5V 3.43V 420mA 6V 3.3V 315mA 6.5V 3.23V 259mA 7V 3.2V 223mA 7.5V 3.16V 198mA 8V 3.279V 189mA 8.5V 3.338V 271mA 9V 3.346V 283mA 在 VCC＝8.2V 以下时，充电可以在 VIBAT为 4.2V 左右终止，但 VCC 再高的话，充电会异常，经测试：
VCC=8.4V，RPROG=2.2K，当 VBAT从 3.5V 升高到 4.5V 时，IBAT=317mA （VBAT=4.5V）
。
3．． 在在 8V 大电流充电时的情况。大电流充电时的情况。
用同一温度对同一芯片在不同电压下进行加温后发现：
当 VCC=5V 时，对芯片进行加温后，充电电流会变很小，正常充电电流为 445mA左右，加温后，充电电流下降到 1mA 以下。
当 VCC=8V 时，对芯片进行加温后，充电电流同样变小，正常充电电流在 245mA左右，加温后，充电电流下降到 50mA 左右。
）
当 VCC低于 7.8V 时，对芯片加温后，充电电流下降到 1mA 以下。
4．． 在不同的在不同的 VCC 下下 VOCP 的变化（类似于电压调整率）
。的变化（类似于电压调整率）
。
端口的问题。
Ivcc 4.537mA 。
VPROG 1V 0.92V 0.69V 0.58V 0.49V 0.44V 0.421V 0.588V 0.616V
我们分别在 VCC=5V和 VCC=6.5V下测试了芯片的 VOCP值， 发现 ft6688 的 VOCP在变化值比较大，有 15~18mV。详见下表：
RPROG=10K， VOCP 芯片 VCC=5V VCC=6.5V ft6688-1 4.090 4.105 ft6688-2 4.303 4.318 ft6688-3 4.091 4.109 xx4054 4.202 4.203 TP4054 4.177 4.184
单位 V V V V V
篇二：芯片测试报告模板范文
style="color: rgb(0, 0, 0); font-size: medium;">篇三：芯片测试报告模板范文
目名称 Name 密级 Confidentiality Level公开 项目版本 Version 文档页数 Total pages 公司名称 1.0 共 17 页
压力测试报告
XXXX 性能测试报告
第 2 页
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第 3 页 目
录 第 1 章 系统概述...................................................................................................................4 第 2 章 方案设计...................................................................................................................4 第 3 章 方案一测试结果.....................................................................错误！
未定义书签。
3.1 方案摘要.................................................................................错误！
未定义书签。
3.2 运行结果.................................................................................错误！
未定义书签。
第 4 章 方案二测试结果.....................................................................错误！
未定义书签。
4.1 方案摘要.................................................................................错误！
未定义书签。
4.2 运行结果.................................................................................错误！
未定义书签。
第 5 章 结论.........................................................................................错误！
未定义书签。
第 6 章 附录.........................................................................................错误！
未定义书签。
XXXX 性能测试报告
第 4 页 第1章 系统概述 系统名称：
XXXX 系统 系统组成：
系统用户：
系统简述：
测试目标：
测试模型：
第2章 方案设计
2.1 系统压力强度估算
测试压力估算时采用原则如下：
系统在线用户数取系统总用户数的 20%， 即：
系统在线用户并发数取在线用户数的 30%， 即：
系统响应时间判断原则（2-5-10 原则）
如下：
系统业务响应时间小于 2 秒， 判为优秀， 用户对系统感觉很好；
系统业务响应时间在 2-5 秒之间， 判为良好， 用户对系统感觉一般；
系统业务响应时间在 5-10 秒之间， 判为及格， 用户对系统勉强接受；
系统业务响应时间超过 10 秒， 判断为不及格， 用户无法接受系统的响应速度；
XXXX 性能测试报告
第 5 页 2.2 测试环境
网络环境：
公司内部的以太网， 与服务器的连接速率为 100M， 与客户端的连接速率为 10/100M自适应。
配置：
设备 硬件配置 软件配置 Web 服务器 PC 机（一台）
CPU：
2. 4（2 个）内存：
1. 0G Windows
2000
server Microsoft
SQL Server 2000 负载产生设备 PC 机（一台）
CPU：
2. 0 内存：
256M Windows
2003
server LoadRunner8. 1 Microsoft Office 负载产生设备 PC 机（一台）
CPU：
2. 4 内存：
512M Windows XP + SP2 LoadRunner8. 0 Microsoft Office
环境的模拟图如下：
XXXX 性能测试报告
第 6 页
场景设计 系统分网站和后台管理两部分， 测试分两个方案。
测试内容取四个典型的用户操作……
场景设计思想是：
大量用户使用和长时间反复运行， 以检查系统的长期稳定性。
访问内容：
访问频率：
访问用户数（并发用户数）：
400
访问时间：
每 15 秒增加 4 个用户， 并发用户数达到 400 后再持续 6 小时。
场景名称 场景业务及比 例 分配 测试指标 性能技术器 Web 访问典型场用户分配：
400 页面响应时间10 服务器 CPU 实用
XXXX 性能测试报告
第 7 页 景 用户增长模式：
每 15 秒增加 4 个 迭代时间间隔：
120秒 运行时间 6 小时
秒 率 服务器内存使用率 响应时间
测试工具：
Loadrunner8.1 （美国 Mercury 公司）
使用 HTTP/HTTPS 协议。
主要思想是使用虚拟用户（Virtual users）
来模拟实际用户对系统施加压力。
模拟图如下：
XXXX 性能测试报告
第 8 页
第3章 测试结果
XXXX 性能测试报告
第 9 页
第4章 综述 在方案一测试中， 系统在大量用户使用和长时间反复运行中， 系统未出现不良反应， 包括 cpu、 内存占用过高、 内存泄露等， 系统反应良好， 在大吞吐量情况系统响应时间令人满意， 系统稳定性比较可靠。
在方案二的测试中， 系统在大用户量并发操作时， 服务器的 cpu 和内存占用率较高， 由于此测试属于并发测试， 因此属于正常现象， 并系统响应速度良好。
通过对方案一和方案二的分析， 本报告认为徐汇科委科普志愿者管理系统的性能满足需求中定义的 2500 用户在线的要求。
注：
系统的性能和硬件环境相关， 系统的具体性能视硬件环境而定。
本次测试
综上所述
篇四：芯片测试报告模板范文
锂电池电源充电管理 IC 芯片(5V 升压 8.4V)CS5080 功能测试报告1、 具有多种保护功能：输入欠压、输入过压（闪灯报警），输出电池端短路（闪灯报警），输出电池端过压（闪灯报警），输出电池端开路（闪灯报警），输出电池端短路（闪灯报警，此时输入电流为100mA）2、 充电模式：涓流、恒流、恒压、重复充电当电池电压低于 5.6V 时以涓流进行预充电，充电流 140mA(R5=6.2K) ；电池电压 5.6~8.4V进入恒流充电模式；电池电压 8.4V 进入恒压充电模式；当电池充饱后，电池电压低于8.2V 时，开始再充电。3、自适应充电器：随着输入电压的降低而降低充电电流，不会因为充电器功率不足而拉死充电器。4、输入欠压保护：输入电压低于 4.39V 时关闭 BOOST 模块电路，此时电池端输出电压略小于输入电压； 输入电压回升到 4.4V 时，BOOST 模块电路开始工作，正常升压输出。当输入电压低至 3.3V，电池输出端完全关闭，无输出电压；输入电压回升到 3.44V 时，电池端有输出电压但略小于输入电压，此时 BOOST 模块仍关闭。输入电压 3.3V~4.39V 间时，电池端无论是过流或者短路， IC 内部已限流，输入电流实测 95mA.5、 输入过压保护：输入电压达到 6.5V 时，IC 关闭输出，闪灯报警，当输入电压降到 6.13V 时，IC 恢复正常工作。6、 输入耐压测试：输入端 1.2R 与 10UF/16V 电容串联，13V 热拔插测试后 IC 仍正常工作，14V 热拔插测试后 IC 烧坏击穿，输入端短路。7、IC 工作频率：640KHZ8、 电池防反接：无保护、电池正负接反会烧 IC9、 输入端反接：无保护、相当于与输入端短路，有大电流流过 IC 本体，持续发热。10、输出电池端纹波：电池 8.3V、输出电容对应纹波1 个 10UF/16V84mV1 个 22UF/16V76mV2 个 22UF/16V53mV10、效率测试：R5=6.8K，理论充电电流 =5800/6800=0.853 （A）电池电压 V6.026.437.438.038.228.4充电电流 A0.9070.8790.8770.8650.8620.857输入电压 V4.964.954.934.94.884.91输入电流 A1.2351.3091.51.6341.7031.767转换效率89.13%87.22%88.11%86.75%85.25%82.97%
在恒流模式：随着电池电压的升高，充电电流减小。电池电压升高效率变低R5=6.2K，理论充电电流 =5800/6200=0.935 （A）电池电压 V6.036.427.428.038.238.39充电电流 A0.9890.9790.9560.9440.9390.934输入电压 V4.944.934.914.894.874.85输入电流 A1.361.4391.651.7921.8611.983转换效率88.76%88.59%87.55%86.5%85.26%81.47%在恒流模式：随着电池电压的升高，充电电流减小。电池电压升高效率变低R5=5.6K，理论充电电流 =5800/5600=1.035 （A）电池电压 V6.046.437.438.048.248.4充电电流 A1.0931.0811.0571.0441.0391.031输入电压 V4.964.954.924.854.94.9输入电流 A1.5021.5911.8271.9932.0672.265转换效率88.76%88.25%87.36%85.59%84.52%78.83%在恒流模式：随着电池电压的升高，充电电流减小。电池电压升高效率变低
篇五：芯片测试报告模板范文
P三极管的发射电路的单片机Vin输入信号的特点是：在非脉冲信号的时候处于高电平状态。小管50mA中管100mA
我们要求的输出电流要能达到200mA， 从以上表格可以看到， 小发射管和中发射管只有导号， 会出现什么情况呢？
管子会烧坏。
为什么呢？ 因为我们在非脉冲的低电平区域时间已经远远大于100us了， 达是我们考虑输入不同信号的原因， 因为我们在测试的时候， 开始并没有考虑到这些， 两种板子结除了这么一套方案来解决这个问题。
而且从来理论上解释了之前为什么会出现烧管的现象。PNP三极管的发射电路的单片机Vin输入信号为：Continuous Forward Current:
IFPeak Forward Current:
IFP(Conditions: Pulse Width< 100us and Duty 1%)800mA1A
为什么PNP和NPN三极管的输入Vin信号不同呢？ 这就要从三极管在电路中的工作原理说起
对于PNP型电路而言， 当Vin输入高电平时， 三极管断开， 发光二极管没有电流， 不发光；时候， 我们希望发光二极管不产生功耗， 从而需要其不工作， 三极管应该断开， 所以Vin为高
对于NPN型电路则恰好相反。
上面这个原因是从节能的角度考虑的， 下面还有个更重要的原因， 使我们不得不让两个板
NPN三极管的发射电路的单片机Vin输入信
导通时间不超过100us的IFP才能达到要求， 而如果我们在PNP的板子上面也加上右图的输入信
达到了1. 2ms， 而此时的低电平会使PNP持续导通， 时间一长， 管子就会由于过热而烧毁。
这就子都用的右图输入信号， 使得我们烧坏了好几个红外发光二极管， 后来我们经过讨论， 才总NPN三极管
起。当Vin输入低电平时， 三极管导通， 发光二极管有电流， 发射出红外线。
在没有脉冲信号的高电平。
所以PNP型的输入信号就应该为左图。
板子输入不同的信号， 先看一下发光二极管规格书中的参数要求：
信号的特点是：
在非脉冲信号的时候处于低电平状态。管的发射电路的单片机Vin输入信号为：
篇六：芯片测试报告模板范文
试报告测试项目：
FPGA 芯片测试验证
文件状态：
[
] 草稿 [√] 正式发布 [
] 正在修改 报告编号：
20120705-1005 测试单位：
北京神州融信信息技术有限公司（盖章）
当前版本：
1.0 编写人：
李理 编写日期 2012-07-05 审批人：
审批日期
）
目 录 项目基本信息 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1 1 引言 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2 1.1 概述 ............................................................................................................................... 2 1.2 项目目的 ....................................................................................................................... 2 1.3 参考资料 ....................................................................................................................... 2 1.4 术语和缩略语 ............................................................................................................... 2 2 测试仪表、 工具、 测试软件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2 3 测试内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3 3.1 真实性检验：
..................................................................................................................... 3 3.2 直流参数特性测试：
......................................................................................................... 3 3.3 关键功能特性测试：
......................................................................................................... 3 4 测试结果分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3 4.1 真实性检验 ......................................................................................................................... 3 4.2 直流参数特性测试 ............................................................................................................ 5 4.3 关键功能特性测试 ............................................................................................................. 6 5 测试结论 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8
项目基本信息 项目名称 FPGA 芯片测试验证客户方 西南科技大学 开发方 爱特公司 (Actel Corporation， MicroSemi) 项目委托时间 2012-03-06 项目测试时间范围 从
2012.03.09
至
2012.03.22
测试参与人员 李海宁， 李晗， 雷涛， 闫志强， 李晓飞
1 引言 1.1 概述 基于 FPGA 设计专用集成芯片， 应确保所购买使用的 FPGA 芯片是质量保证的合格产品， 这是开展后续研发工作的基本保证。
在基于 FPGA 芯片开展设计之前首先应完成对FPGA芯片的一系列测试， 主要包括对载体FPGA芯片做真实性检验、直流参数特性测试和关键功能特性测试等。
1.2 项目目的 本测试报告为 A3P600-PQG208I FPGA 芯片测试验证报告， 目的在于总结对送检的 A3P600-PQG208I FPGA 芯片做真实性检验、 直流参数特性测试和关键功能特性测试以及分析测试结果， 描述 A3P600-PQG208I FPGA 芯片 是否符合要求。
1.3 参考资料 资料名称 作者 FPGA 芯片测试验证要求 ProASIC3 Flash Family FPGAs DataSheet 西南科技大学 Microsemi Corporation
1.4 术语和缩略语 缩略语 全意
2 测试仪表、 工具、 测试软件 测试工具 数量 SONY DSC-RX100 相机 1 台 Verigy 93000 集成电路测试系统 1 套 测试软件 Verigy V50 1 套 测试电路板 1 套 待测 FPGA 芯片 10 片
3 测试内容 3.1 真实性检验：
（1）
包装材料、 标识和标记、 ESD 一致性检查、 MSL 检查核对等来料包装检查；
（2）
管脚完整性、 共面性检查、 尺寸大小检查、 丙酮擦除检查等物理测量和外观检查；
（3）
管脚一致性检查；
（4）
化学解剖。
3.2 直流参数特性测试：
（1）
测试 A3P600-PQG208I 内部连线是否开短路；
（2）
测试输入负载电流限制（IIL/IIH）
是否符合协议标准；
（3）
测试输出门限电压（VOH/VOL）
是否符合协议标准；
（4）
测试静态电流（IDD）
是否符合原厂要求；
（5）
其它参数。
3.3 关键功能特性测试：
验证 A3P600-PQG208I 的主要功能是否正常。
4 测试结果分析 4.1 真实性检验 1、 芯片包装：
2、 单体芯片正面图 ：
3、 单体芯片背面图：
结论：
合格芯片外观无破损， 背部 Marker 点清晰完整；
4、 管脚一致性检查发现：
a. 管脚有轻微的氧化； b. 部分管脚弯曲。
管脚图如下所示：
5、 化学解剖图如下所示：
4.2 直流参数特性测试 测试连接如下图所示：
通过测试的协议如下所示：
未通过测试的协议如下所示：
4.3 关键功能特性测试 选用 IMS Credence Tester 作为关键功能测试软件。
软件运行状态如下所示：
时序分析如下图所示：
模式控制如下图所示：
5 测试结论 本次试验分别对 A3P600-PQ208I FPGA 芯片的真实性检验、 直流参数特性和关键功能进行了测试。
实验将送检 FPGA 中的抽取 10 片 A3P600-PQ208I 芯片做测试， 10 片 A3P600-PQ208I 芯片皆通过了真实性检验， 其中随机抽选 1 片做化学解剖分析测试试验； 共有 9 个芯片通过了直流参数特性检测； 9 个芯片都通过了关键功能测试试验。
篇七：芯片测试报告模板范文
精度 RTC 时钟芯片评估测试报告BST 技术部海外电子 2011-10-24一、测试目的和内容BST 生产的部分显示产品具有时间和、或温度显示功能，部分产品由于走时的不稳定，产生了大量的维护费用，对 BST 产品的品质和形象造成不利影响。为了改善 BST 现有产品中 RTC 时钟的稳定性，现针对原有产品中用到的 RTC 时钟实现方式作了分析，产生 RTC走时不准确的原因主要有：1、实时时钟晶振 32.768KHz 石英晶体的精度、外接电容的匹配、电磁环境干扰以及振荡频率的温度漂移产生的影响，其中温度影响在高、低温时较大（如右图），参数匹配以及分布参数的控制困难，干扰因素难以抑制；2、后备电池丢失导致时间丢失，不能保持时间或日期时间混乱。由于电池的品质、工作环境、以及放电电流过大，导致后备电池快速耗尽，实时时钟和日期无法保持；基于以上分析，为了改善产品中 RTC 走时准确性的问题，选择 3 款独立的 RTC 芯片，并进行针对性的测试，这些芯片是：1、 MAXIM 的 DS3231，主要特点如下：0°C 至+40°C 范围内精度为±2ppm-40°C 至+85°C 范围内精度为±3.5ppm为连续计时提供备用电池输入工作温度范围商用级：0°C 至+70°C工业级：-40°C 至+85°C低功耗实时时钟提供秒、分、时、星期、日期、月、年信息，并提供有效期到 2100 年的闰年补偿两个日历闹钟可编程方波输出快速(400kHz) I2C 接口3.3V 工作电压数字温度传感器输出：精度为±3°C老化修正寄存器22、 NXP 的 PCF2129，主要特点如下：Temperature Compensated Crystal Oscillator (TCXO) with integrated capacitorsAccuracy: ±3 ppm from -15 °C to +60 °CIntegration of a 32.768 kHz quartz crystal and oscillator in the same packageProvides year, month, day, weekday, hours, minutes, and seconds TimestampTwo line bidirectional 1 MHz Fast-mode Plus (Fm+) I2C-bus interface3 line SPI-bus with separate data input and output (maximum speed 6.5 Mbit/s)Battery backup input pin and switch-over circuitryBattery low detection functionPower-On Reset Override (PORO)Oscillator stop detection functionProgrammable watchdog timer with interrupt and reset capabilityProgrammable alarm function with interrupt capabilityClock operating voltage: 1.2 V to 4.2 VLow supply current: typical 0.65 μA at VDD = 3.0 V and Tamb = 25 °C3、 深圳兴威帆电子，SD2403SD2403AP 是一种内置晶振、具有标准IIC接口的实时时钟芯片,CPU 可使用该接口通过5位地址寻址来读写片内32 字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。SD2403AP 内置晶振, 该芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25℃±1℃下)，即年误差小于2.5 分钟。SD2403AP 内置单路定时/报警中断输出,报警中断时间最长可设至100 年。SD2403AP 内置时钟精度数字调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(-189ppm～+189ppm,分辨力为5ppm)，并 通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能。SD2403AP 具有一个后备电池输入脚VBAT,当芯片检测到主电源VDD 掉到后备电池电压以下,芯片会自动转为由接在VBAT 的后备电池供电。以上芯片均内部集成了石英晶振，解决了匹配和干扰的问题；以上芯片均带有时钟精度调整功能；其中 DS3231、PCF2129 具有内置温度传感器，可以自行实现温度补偿，而 SD2403则需要借助于外部的温度传感器实现温度补偿；DS3231 还能够提供数字温度输出功能，可以直接读取温度值。电池方面，公司原有 CR1220 锂电池无商标无资料，品质无法保证，现选取 HITACHIMAXELL 品牌的 CR1220 锂电池作为后备电池，替换原有物料，品质更有保证。
3二、测试方法为了对 RTC芯片的主要性能进行评估，我们制作了"BST RTC DEMO"板，用于这几款芯片的测试。此 DEMO板可以连接以各种上芯片，并与所连接的芯片通信，可以实现时钟设定和显示功能，便于观察对比。（试验原理电路见附件）测试内容包括：1、后备电池供电时的电流消耗，采用测量串联在 DEMO 板上 RTC 电池供电线路上的 1K电阻两端的电压的方式测量；2、频率准确度测量，在常温下将各芯片的时钟调整到相同的值，连续运行，观察是否有偏差，同时用高精度频率计测量 32.768 频率输出是否准确；3、温度稳定性测量，在冰箱冷冻室（-16°C）冷冻 24 小时，观察走时误差；在 60°C烤箱内烘烤 72 小时，观察走时误差；同时测量振荡频率。三、测试数据（测试样品为上述三种芯片每样 3PCS）1、时钟保持电流芯片型号 DS3231 PCF2129 SD2403采样电压（mV）
0.8 2.2 1.2保持电流（uA）
0.8 2.2 1.2测试条件为 VDD=0V，V BAT =3.25V，电流采样电阻 1Kohm2、走时精度芯片型号 DS3231 PCF2129 SD2403时钟频率（KHz）
32.7680 32.7679~32.7681 32.7681走时精度(ppm) 0 2 3频率漂移（Hz）
0 0.2 0.1DS3231 走时最精准，PCF2129 频率漂移最大，此结果为 25°C 标准温度条件下的测试数据
43、 高、低温温度稳定性（高温 60°C， 低温 -15°C，测量周期 24H）低温试验于 2 月 19~21 日在技术部冰箱冷冻室内完成高温试验于 2 月 21~24 日在电子车间 60℃高温烘烤间内完成芯片型号 DS3231 PCF2129 SD2403高温误差（S/2D）
-0.5 0 -6高温温飘(ppm) 3 0 35低温误差（S/1D）
0 0 -9低温温飘(ppm) 0 0 104DS3231，PCF2129 无温飘，SD2403 未启动补偿时，有温飘且符合温飘曲线；系统不工作时 SD2403 无法利用后备电池修改补偿量，而其它两款可以在后备电池供电时根据温度变化自动修改补偿量。4、价格与供应状况芯片型号 DS3231 PCF2129 SD2403芯片报价（含税）
11.1（未税）
8.2 6供应商 深圳采正电子 ZLG 深圳原厂供应状态 上海齐众电子 电表用，稳定 货源稳定DS3231 价格最高，PCF2129 性价比最高，价格都在预算内（RTC 总成本不高于 15 元）四、结论综合各方面性能，DS3231 最好，且可以提供数字温度输出；SD2403 无自动温度补偿，须外加温度检测电路，使用较为复杂；从价格来看，SD2403 最具优势，在不需要温度补偿或能够由外部进行温度补偿的情况下较适合；NXP 的 PCF2129 综合性能较好，性价比最高。撰写：
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